1、施肥溝中心點(diǎn)可開在樹冠投影邊緣處。此處毛細(xì)根較為集中，利于吸收。輻射狀施肥，施肥溝自距離主干60%處向外延伸至樹冠投影邊緣之外20cm左右為宜。
2、總體要把握的原則就是：毛細(xì)根越集中的位置，吸收能力強(qiáng)?；室苿?dòng)性好，并可隨水向下遷移。有機(jī)肥移動(dòng)性差，肥效緩慢，且以改良土壤為主，需施在根系集中的區(qū)域。根系的趨肥性要求深度一定要合適。施肥太淺易造成根系上移。土壤干旱，化肥太集中，易造成燒根，形成肥害。
1、施肥溝中心點(diǎn)可開在樹冠投影邊緣處。此處毛細(xì)根較為集中，利于吸收。輻射狀施肥，施肥溝自距離主干60%處向外延伸至樹冠投影邊緣之外20cm左右為宜。
2、總體要把握的原則就是：毛細(xì)根越集中的位置，吸收能力強(qiáng)?；室苿?dòng)性好，并可隨水向下遷移。有機(jī)肥移動(dòng)性差，肥效緩慢，且以改良土壤為主，需施在根系集中的區(qū)域。根系的趨肥性要求深度一定要合適。施肥太淺易造成根系上移。土壤干旱，化肥太集中，易造成燒根，形成肥害。